以奈米碳與二氧化矽複合物優化發光薄膜之研究
本研究延伸自文獻影片「奈米碳來排隊」實驗,自製奈米碳量子點(carbon quantum dots, cQD),並結合鈣鈦礦量子點(perovskite quantum dots, pQD)製程,以探討優化發光薄膜材料的合成技術與製程。目前完成的變因探討如下:(一)比較碘化鉛與溴化鉛兩種前驅物對pQD粒子成長的效應,(二)萃取不同型態cQD的溶劑效應,(三)調控cQD之添加方式,包括劑量、順序與添加時刻。製程條件的添加順序分成兩種流程:(A)方法PC(perovskite - carbon):先有鈣鈦礦後有碳,也就是先合成pQD,期間再加入cQD,(B)方法CP(carbon - perovskite):先有碳後有鈣鈦礦,也就是先加入cQD,再合成pQD。 為了找出pQD發光特性的優化條件,研究結果進行討論四項指標:光致發光量子產率(photoluminescence quantum yield, PLQY)、譜線半峰全寬(full width at half maximum, FWHM)、波長位移及pQD穩定度。觀察PLQY與FWHM的結果顯示:多數以方法PC添加之cQD能達優化效果,而其中又以甲苯萃取的PhMe-cQD(178.0%)與異丙醇萃取的IPA-cQD(182.6%)對PLQY提升幅度最為顯著。目前也進行市售碳化矽(SiC)與自製碳矽複合物(簡稱CSiX)的添加效應,期能找出更加優化pQD條件,發展出簡易製程但更具綠能經濟之發光薄膜原料,也提供碳循環應用之契機。