臺灣國際科展

氧化鎵奈米結構材料之光譜性質研究

科展類別
臺灣國際科展
屆次
2004年
科別
物理科
學校名稱
臺北市立中山女子高級中學
指導老師
高君陶
作者
蘇郁茜
關鍵字
光譜,奈米結構,氧化鎵

摘要或動機

我利用分光光譜儀量測Ga2O3 奈米帶,發現奈米帶之能隙約為4.6eV。接著,在室溫下對這一系列樣品作微觀拉曼散射實驗,首先,我使用三種不同波長之入射雷射光對Ga2O3奈米帶共振拉曼散射實驗,觀察不同波長的入射光對樣品的影響;其次,比較樣品之Stokes 與anti-Stokes 變化;最後,再對樣品作偏振拉曼散射,並比較其相對強度之消長。


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